本
文
摘
要
公司概况：先进半导体材料平台型公司
历史沿革：江苏南大光电材料股份有限公司，成立于 2000 年，于 2012 年在深圳证 券交易所创业板上市。
是主要从事先进前驱体材料、电子特气、光刻胶及配套材料三大半 导体材料产品生产、研发和销售的高新技术企业。
在前驱体领域，公司依托“863”计划 项目成果，经数年发展，在技术水平、产品种类、市场拓展上均实现了跨越式发展。
2021 年南大光电为全球 MO 源市场占有率前二的厂商，市场占有率接近 30%，并占据国内市场 第一的份额。
在电子特气领域，公司于 2013 年获得国家“02 专项”高纯特种电子气体研 发与产业化项目，同年成立全椒南大光电材料有限责任公司，启动砷烷、磷烷等特种气体 的研发工作。
同时在含氟电子特气方面，公司于 2019 年收购飞源气体，该公司是全球含 氟电子特气主要供应商，目前三氟化氮产量位居国内第二。
在光刻胶领域，公司于 2017 年获得国家“02 专项”193nm 光刻胶及配套材料的研发项目立项，2020 年公司研发的 ArF 光刻胶产品成为国内通过产品验证的第一只国产 ArF 光刻胶，标志着国产光刻胶产品 的产业化取得关键性的突破。
主营业务：公司的业务以前驱体、电子特气、光刻胶三大关键半导体材料产品生产、 研发和销售为主。公司先进前驱体材料板块主要由 MO 源类产品构成，同时布局高纯 ALD/CVD 前驱体、高 K 三甲基铝、硅前驱体和 OLED 材料等产品。
公司在 MO 源的合成 制备、纯化技术、分析检测、封装容器等方面已全面达到国际先进水平，主要产品有三甲 基镓、三甲基铟、三乙基镓、三甲基铝等，产品的纯度大于等于 6N 级别。
公司电子特气 板块主要包括氢类电子特气产品和含氟电子特气产品。公司氢类电子特气主要包括磷烷、 砷烷等，产品纯度已达到 6N 级别。
公司子公司飞源气体是国内主要的含氟电子特气生产 企业，产品主要包括三氟化氮、六氟化硫及其副产品。
在光刻胶及配套材料板块，公司正 在自主研发和产业化的 ArF 光刻胶（包含干式及浸没式）可以达到 90nm-14nm 的集成电 路工艺节点，有望实现高端光刻胶材料的进口替代。
产业链介绍：MO 源是光电产业的支撑材料之一，其纯度、品质对最终的光电器件或 高频器件的质量和性能起着决定性作用。MO 源行业的上游主要有镓、铟等稀有金属以及 其他辅助原料，其中其他辅助原料均属于常规工业用品，国内供应比较充足。目前 90%以 上的 MO 源都被用来生产 LED 外延片。
此外，MO 源逐渐进入新一代太阳能电池领域如非 晶硅薄膜太阳能电池、砷化镓太阳能电池等。在相变存储器、半导体激光器、射频集成电 路芯片等其他高科技领域也逐步开展应用。
电子特气行业的上游主要是空气、工业废气以 及基础化学材料，其纯度决定了产品质量。电子气体在电子产品制程工艺中广泛应用于离 子注入、刻蚀、气相沉积、掺杂等工艺。
被称为集成电路、液晶面板、LED 及光伏等材料 的“粮食”和“源”，半导体行业的高速发展是电子特气的主要推动力。光刻胶行业的上 游主要是感光材料、树脂、溶剂等，公司所生产的高端光刻胶应用于半导体行业。
股权结构：截至 2021 年 9 月 30 日，公司前十大股东共持有 1.5 亿股，占总股本 35%。 第一大股东沈洁直接持股 4318.16 万股，占总股本 10.23%。由于公司股权较为分散，单 一股东持有或控制的公司股份比例均不超过 30%，也没有单一股东能够决定半数以上董事 会成员的选任。
公司单个或存在同一控制下的董事或高级管理人员亦无法单独支配公司重 大财务和经营决策，且公司前三大股东之间不存在关联关系，因此公司不存在控股股东和 实际控制人。
营业收入与净利润：公司 2021 年前三季度实现营收 7.09 亿元，同比增长 65.11%； 归母净利润 1.24 亿元，同比增长 38.58%。2020 年实现营收 5.95 亿元，同比增长 85.13%； 归母净利润 8701.63 万元，同比增长 58.18%。
业务占比：公司业务主要包括 MO 源、电子特气以及其他主营业务，其中 MO 源以三 甲基铟和三甲基镓为主。从公司收入占比来看，从 2012 年到 2016 年，公司收入主要来自 于 MO 源产品。2017 年电子特气业务开始发力，高纯砷烷、磷烷产品成功进入了国内主 要 LED 客户的大规模生产中
2019 年公司收购飞源气体，电子特气营收首次超过 MO 源 产品营收，2020 年电子特气业务收入 4.29 亿元，占比 72.18%，成为公司的核心收入来 源。
2020 年，三甲基镓、三甲基铟、三甲基铝、三乙基镓等合并为 MO 源产品，共占比 20.21%。
毛利率情况：公司 2012-2020 年销售毛利率整体维持在 40%以上。公司 2020 年 销售毛利率 41.09%，其中电子特气业务毛利率 43.59%，MO 源产品整体毛利率为 29.30%。
费率情况：2018 年以来，公司总费用率整体呈下降趋势，2018 年公司的总费用率为 40.43%，2020 年总费用率为 35.66%。2020 年公司研发费用率 10.63%，较去年同期下 降 1.51 个百分点；2020 年管理费用率 19.13%，较上年同期上升 4.84 个百分点。
主要是 公司因经营成果计提绩效奖金增加、新增管理用固定资产及暂时未投产固定资产计提折旧 及非同一控制下企业合并子公司合并期间比上期增加综合影响所致；
2020 年销售费用率 为 5.51%，较上年同期下降 1.3 个百分点。公司财务费用率一直维持在较低水平。
卡位半导体核心材料 MO 源，技术领先龙头地位凸显，LED 需求+新兴应用拉动，MO 源市场稳健增长
MO 源是现代化合物半导体产业的支撑原材料。MO 源即高纯金属有机源，是利用先 进的金属有机化学气相沉积（MOCVD）工艺生成化合物半导体材料的关键支撑原材料， 因而又被称为 MOCVD 的“前驱体”。主要产品包括：三甲基镓、三甲基铟、三甲基铝、 三乙基铝、三乙基镓、二乙基锌、二甲基锌、二茂镁、二乙基碲、二叔丁基碲、三甲基锑、 三乙基锑、四氯化碳、四溴化碳、液态二茂镁、二茂铁、硼酸三乙酯、三乙基硼，其中三 甲基镓、三甲基铟和三甲基铝等四五种用量较大。
MO 源是制备 LED、新一代太阳能电池、 相变存储器、半导体激光器、射频集成电路芯片等的核心原材料，在半导体照明、信息通 讯、航天等领域有着极其重要的作用。
MO 源的质量直接决定了最终器件的性能，因此 MOCVD 工艺对 MO 源的质量要求很高，其中纯度是衡量 MO 源质量的关键指标。
生产 MO 源的工艺过程主要包括合成、纯化、分析和灌装四个环节。大多数 MO 源化 合物对氧气、水汽极其敏感，遇空气会发生自燃，遇水可发生爆炸，且毒性大。因此，MO 源实现从研发到生产的转化需要极为苛刻的条件支持。南大光电的合成环节采用独特的合 金法，该方法和卤化物法相比工艺简单，原料无腐蚀性，副产物少，且价格便宜，有效解 决 MO 源污染严重的问题。
四大企业占据 MO 源行业主要市场份额。目前全球范围内 MO 源的生产厂商较少，只 有中国、美国、欧洲、日本四个区域的少数几个公司拥有产业化生产的能力。现阶段，全 球范围内市场份额占比高的 MO 源生产企业主要为中国南大光电（Nata）、美国陶氏化学 （Dow）、德国默克旗下 Sigma-Aldrich、荷兰阿克苏诺贝尔（AkzoNobel）等。
这四家企 业合计市场份额占比达到 95%左右。2021 年南大光电的市场占有率达 30%左右，国内市 占率第一。
LED 是目前 MO 源的主要应用。在 MO 源的下游应用中，有超过 90%的产品被用于 生产 LED 外延片。LED 生产包括外延片生长、芯片加工和芯片封装三个步骤，其中外延 片生长是三个环节中附加值最高、技术难度最大的环节，MOCVD 也是外延片生长的主流 工艺，核心材料即为 MO 源。
得益于下游 LED 行业的发展和制造 LED 所需制造外延片需 要的 MOCVD 设备市场的增长，MO 源市场规模保持稳健增长。
中国 MOCVD 设备拥有量 占全球 70%以上，随着 LED 产业链逐渐向大陆转移，该比重仍有上升趋势。2017 年大陆 MOCVD 保有量 1718 台，同比增长 16.71%，整体保持较快增速。
LED 照明领域面临压力。在国内 LED 市场，目前 LED 的主要应用领域仍是通用照明 领域。2019 年通用照明 LED 应用占总规模的 42.40%。近十年，受益于全球 LED 行业的 高景气度以及节能环保理念的普及，国内 LED 产值总体保持在 15%以上的增速。
近三年， 由于全球景气度下降以及国内产能过剩，增速逐渐回落，2020 年受新冠疫情影响，全球 经济发展和消费市场均受到了严重冲击，叠加照明行业激烈的市场竞争态势，LED 照明企 业普遍面临巨大的经营压力。
2020 年全国 LED 总产值 5512 亿元，同比下降 26.97%。从 全球 LED 照明市场来看，在节能环保理念传播下，LED 照明市场总体保持在 10%以上增 速。
2018 年全球 LED 照明产业规模达到 629 亿美元，同比增长 14.2%，但近几年增速亦 明显放缓。长期来看，预计 LED 照明渗透率仍有上升空间，行业景气度随着行业内资源整 合和疫情后经济复苏会有回升。
我国 LED 显示屏行业发展迅速。我国 LED 显示屏行业发展起步较晚，早期产品主要 以单、双色显示屏为主。随着 LED 器件材料的发展与 LED 显示屏控制技术的突破，LED 全彩显示屏市场发展迅速，应用领域不断得到延伸，逐步取代单双色屏、投影等传统显示 产品成为室内外主流大屏幕显示产品。
2019 年 LED 显示应用规模占总应用规模的 17%， 市场规模达 626 亿元，同比上升 20%。2019 年 LED 显示领域产值 1089 亿元，同比上升 14.99%。
LED 显示应用迎来新的发展机遇。随着文旅经济、室内高清显示屏、车用显示屏等对 显示产品的进一步需求，小间距及 Mini LED、Micro LED、IR LED、UV LED 还将存在广 阔的市场空间，LED 显示应用有新的发展机遇。2021 年，苹果、华为、创维、TCL、三 星等大厂纷纷在电视、笔记本电脑等产品中应用 Mini LED 技术。下游巨头全面入局，有 望加速产业链的发展。
根据 Arizton 数据，2024 年全球 Mini LED 市场规模有望达到 23.22 亿美元，6 年的复合增速将达到 147.92%。
新型应用场景驱动化合物半导体快速成长，为 MO 源注入新动能。除 LED 外，MO 源逐渐进入新一代太阳能电池领域如非晶硅薄膜太阳能电池、砷化镓太阳能电池等；在相 变存储器、半导体激光器、射频集成电路芯片等其他高科技领域也逐步开展应用。氮化镓、 砷化镓等化合物半导体（即“新一代半导体”）近年来开始在通信器件、电力电子器件、 新型光电器件等领域显现出重要作用。
MO 源是制备新一代半导体的重要材料。新一代半 导体所需要的 MO 源纯度要求更高，杂质更低，这对 MO 源超纯化和超纯分析技术提出了 更高的要求。
在攻克技术条件的前提下，随着第三代半导体的蓬勃发展，MO 源有望在这 一新领域迎来新的机会。PERC 工艺的普及提升了 MO 源在光伏领域的应用。
在 PERC 结构中 Al2O3 钝化层是 提高效率的关键，而 Al2O3 薄膜的制备采用 PECVD 或者 ALD 沉积工艺并使用三甲基铝 （TMA）为原料，这进一步为 MO 源的应用打开了空间。
在砷化镓太阳能电池和非晶硅薄 膜太阳能电池等新一代太阳能电池中，MO 源也是核心原材料，其质量是决定太阳能电池 质量的关键。
随着新一代太阳能电池制造的 PERC 技术迎来突飞猛进的发展，MO 源在光 伏领域的应用进一步提升。砷化镓太阳能电池和非晶硅薄膜太阳能电池的普及应用将给 MO 源行业的发展带来新的动力。
薄膜太阳能电池占太阳能电池份额较小，但经过 40 多 年的发展，目前全球薄膜电池的年出货量也达到 GW 量级，成为光伏市场的重要补充。
2019 年晶体硅太阳能电池依然是太阳能电池的主导产品，其产量占全部太阳能电池产量的比重 为 95.37%，薄膜电池产量占全部太阳能电池产量的 4.63%。随着技术的发展，新兴太阳能电池近年来也将有所发展。
全球 MO 源市场仍将保持快速上升态。受益于 LED、太阳能电池、相变存储器等行业 发展的拉动，全球 MOCVD 设备保有量不断增多，生产能力不断增强，带动 MO 源需求量 持续快速增长。根据 Markets and http://research.biz 数据，2011-2015 年，全球 MO 源市场需 求量年均复合增长率达到 40%以上。
受消费电子、家电市场饱和度不断提高，以及光伏发 电新增装机量增速下滑等因素影响。2015-2020 年，全球 MO 源市场需求增速有所下降， 但仍保持上升态势。
根据 Markets and http://research.biz 的数据，2019 年全球 MO 源市场规模 在 1.1 亿美元左右。我们预计到 2025 年，全球 MO 源市场规模将达到约 1.8 亿美元，对 应 2021-2026 年复合增长率为 8.3%。
公司 MO 源技术优势显著，客户覆盖度高
我国 MO 源行业发展势头强劲。现阶段，我国已经具备 MO 源自主生产能力，南大光 电是我国 MO 源行业中的领先企业。其 MO 源产品布局较为全面，已经进入全球半导体市 场供应链，得到欧美日韩等国家与地区企业认可。2019 年，南大光电 MO 源产品销量达 到 29.2 吨，同比增长 9.29%。
南大光电在 MO 源制备中形成了系统的技术优势。以 MO 源的合成技术为例，卤化物 法是国际上最为通用的方法，该方法由于副产物过多，合成效率不高，且其原料具有腐蚀 性，生产过程对安全要求非常高。南大光电经过多年的研究开发，已掌握了卤化物法，在 产业化过程中，针对卤化物法所存在的弊端，逐步开发完善了具备更多优势的合金法生产 技术，最终实现了独特的合金法生产工艺，该方法原料无腐蚀性且价格便宜；
副产物较少， 合成效率相对较高；原料和副产物安全，降低了生产过程中的危险系数，是一种既安全又 清洁高效的生产方法。
另外，南大光电在纯化、分析、封装等生产技术和工艺方面持续自 主创新，并全面达到国际先进水平，从而形成了系统的技术优势。
南大光电拥有经验丰富的研发和管理团队。公司汇聚了一批国内 MO 源领域最顶尖的 技术专家和管理专家。公司董事长孙祥祯教授先后主持国家 863 计划 MO 源项目、MO 源 国家重点科技攻关项目等研究工作，是国家 863 计划新材料 MO 源研究开发中心创始人。
曾获国家科技部授予的“八六三计划先进个人”称号、国家科委授予的“八六三”计划先 进工作者一等奖、并作为 MO 源项目第一完成人获得国家教委授予的科学技术进步二等奖。
公司的核心技术人员吕宝源先生、陈化冰先生、许从应先生、吉敏坤先生等均具有十年以 上的 MO 源研究、产业化实践和企业管理经验。
公司总经理李建华先生具有丰富的大型制造类企业经营管理经验以及海外市场拓展经验。公司稳定高效的核心管理团队均持有公司 股份。
公司产品远销亚太、欧美等主流市场，高端客户群不断壮大。公司高端客户主要包括 欧洲的 Osram，日本的 Toyoda Gosei，中国台湾的晶元光电、广镓光电，韩国的首尔半 导体、LG 等。公司产品在中国大陆市场处于优势地位，大陆主要外延片厂商都与公司建 立了长期合作关系。
国产光刻胶先行者，ArF 通过产品验证，技术壁垒高企，海外巨头垄断光刻胶市场
光刻胶行业具有较高的技术壁垒。光刻胶由树脂、溶剂、光引发剂、添加剂四部分组 成。光刻胶产品种类多、专用性强，需要长期技术积累，对企业研发人员素质、行业经验、 技术储备等都具有极高要求。企业需要具备光化学、有机合成、高分子合成、精制提纯、 微量分析、性能评价等技术，具有较高的技术壁垒。
光刻胶是光刻环节的重要耗材。光刻是将 IC 设计好的图形由掩膜版转移至硅片后再 进行下一步刻蚀的工艺，成本占芯片制造的 30%，时间占 50%，是 IC 制造中耗时最大、 难度最高的工艺。光刻时会在硅片上涂一层光刻胶，经紫外线曝光后，光刻胶化学性质发 生变化，再经显影后将曝光的光刻胶去除，实现图形从掩膜版到硅片的转移。
光刻胶作为 光刻环节的重要耗材，其质量和性能直接影响 IC 产线良率，是 IC 制造的核心材料之一。光刻胶品类繁多。光刻胶的品种很多，使用的工艺条件依光刻胶的品种不同而有很大 的不同。
按曝光波长不同可分为紫外（300～450nm）光刻胶、深紫外（180～265nm）光 刻胶、电子束光刻胶（0.01～0.001nm）、离子束光刻胶（＜0.001nm）、x 射线光刻胶等。
随着曝光波长变化，光刻胶中的关键组分，如成膜树脂、感光剂、添加剂也随之发生相应 的变化，光刻胶的综合性能也不断提高。
ArF 光刻胶目前是光刻胶的重要应用品类。随着摩尔定律的发展，晶圆上需要容纳的 二极管越来越多，在晶圆上刻画电路的精度和难度也相应提高。为满足更高集成度更精密 的集成电路制造，光刻环节必须采用更短波长的光源，光刻分辨率也相应提高——光刻机 的曝光光源从宽谱紫外线发展到 I 线（365nm）、KrF 线（248nm）、ArF 线（193nm）以 及目前最前沿的 EUV（13.5nm）光源，而不同的光源需要使用不同的光刻胶。
ArF（193nm） 光源对应曝光的是 ArF 光刻胶，而集成电路工艺在从 90nm 节点拓展到 7nm 节点的过程 中，几乎都采用 ArF 工艺做为关键层工艺，以满足其对于分辨率及套刻精度的要求。
为适应光刻工艺，ArF 光刻胶逐渐由干法 ArF 光刻胶发展为湿法 ArF 光刻胶。根据 光刻条件下使用的折射介质的不同，ArF 光刻胶可分为干法光刻胶与湿法（浸没式）光刻 胶：干法工艺的折射介质是空气，应用于 45nm 以上技术节点；而湿法工艺的折射介质是 水，45nm 及以下技术节点主要采用湿法工艺来满足更小的分辨率需求。
首先得到推广的 是干法 ArF 光刻胶。ArF 光刻胶属于化学放大型光刻胶的一种，其雏形源自 IBM 公司，由 于 KrF 光刻胶所使用的聚对羟基苯乙烯体系对波长更短的 193nm 深紫外 ArF 光有强烈的 吸收（主要源自其结构中的苯环），因此该体系不适用于 ArF 光刻。
为解决这一问题，1991 年 IBM 公司设计出 ArF 光刻胶的原型——甲基丙烯酸甲酯（MMA）、甲基丙烯酸丁酯 （TBMA）和甲基丙烯酸（MAA）三元共聚物，通过调整各组分的比例可以实现对光刻胶 性能的微调。
随着光刻工艺步入 45nm 及以下的节点，干法 ArF 光刻胶难以满足此时的需 求，湿法 ArF 光刻胶（也称“浸没式 ArF 光刻胶”）则顺势而起。
浸没式 ArF 光刻技术凭 借在 65nm 及以下的工艺节点开始取得巨大的突破而收到更多关注，2004 年 JSR 首次 通过 ArF 浸没式光刻成功实现了 32nm 分辨率，引领了巨大的的技术变革。
2006 年 JSR 又与 IBM 合作，通过 ArF 浸没式光刻成功实现了 30nm 及更小的线宽。日美企业在光刻胶领域具有垄断地位。从全球市场份额来看，光刻胶市场主要由日本、 美国、韩国企业所把控。
2021 年东京应化、JSR、住友化学、富士胶片分别占据 27%、 13%、12%、8%的市场份额，陶氏化学占据 17%的市场份额，韩国东进占据 11%的市场 份额。
细分到高端的 ArF 光刻胶领域，行业的垄断格局更为明显。在 ArF 光刻胶方面，JSR、 信越化学、东京应化、住友化学、富士胶片、陶氏化学分别占据 24%、23%、20%、15%、 8%、4%的市场份额。几大供应厂商的市占率合计均超过 90%。
高资本开支下，光刻胶市场持续扩容
随着全球晶圆制造产能持续增长，光刻胶市场不断扩容。集成电路制造为 IC 光刻胶 的下游应用，其资本开支情况为上游原材料行业景气度的先行指标。2019 年，全球晶圆 制造资本支出 392.7 亿美元，同比增长 8.37%。其中制造设备方面，根据 SEMI 数据，2020 全年半导体制造设备销售额 712 亿美元，相比 2019 年的 598 亿美元增长了 19%。
我们预 计在下游较大的资本开支支持下，上游半导体材料仍将保持高景气度。半导体产业重心正在向我国转移。
从区域上看，2019 年全球半导体销售额 4101 亿美 元，较 2018 年同比下降 12.05%，但我国半导体销售额占全球比例逐年上升。
从 2014 年 的 27.3%提升至 2020 年的 34.40%，体现了我国高于全球的行业增速。产业重心正在向我 国转移。
中国仍然是全球最大的半导体市场。根据 SIA 发布的数据，中国仍然是全球最大的半 导体市场，2021 年的销售额为 1925 亿美元，增长了 27.1%。
中国大陆晶圆产能近年将明显提升。根据芯思想数据，截止 2021 年，中国内地 12 英寸、8 英寸和 6 英寸及以下的晶圆制造线共有 210 条，已经投产的 12 英寸晶圆制造线 有 29 条合计装机月产能约 131 万片。截止 2021 年，中国大陆在全球晶圆产能中的份 额达到 16%，仅次于韩国和中国台湾地区。随着下游产能的快速增长，我们预计光刻胶市 场亦将持续扩容。
光刻胶领域全球具有百亿市场。光刻胶是集成电路制造必不可少的关键原材料。2021 年，全球光刻胶市场规模 19 亿美元，折合人民币约 120.4 亿元，同比增长 11%。预计 2022 年达到 21.34 亿美元。随着半导体线路图形越来越小，光刻工艺对光刻胶的需求量也越来 越大，再加之全球电子产业东移趋势持续，我国 IC 光刻胶市场将持续扩容，我们预计 2022 年中国 IC 光刻胶市场规模为 31.59 亿元。
高端光刻胶依赖进口，国产化提升空间巨大。当前，我国半导体领域的 g 线、i 线光 刻胶基本可以满足自给。两者主要用于 6 英寸晶圆的集成电路制造。而更为高端的 KrF、 ArF 光刻胶，我国则高度依赖进口，国产化率存在极大的提升空间。在 EUV 光刻胶研发受 限的情况下，ArF 光刻胶已成为国产光刻材料公司所能做的技术水平最高的光刻胶（主要 指商用领域）。
公司持续深耕谋求突破，ArF 光刻胶已通过产品验证
南大光电获得国家"02 专项"193nm 光刻胶及配套材料的研发项目立项，研发 ArF 光 刻胶进展顺利。公司 2017 年 9 月正式立项“193nm 光刻胶及配套材料关键技术研究项目” 的一期研究，并于 2018 年 12 月投资 65557 万元实施“193nm（ArF）光刻胶材料开发和 产业化”项目。
以全资子公司宁波南大光电材料有限公司为实施主体。同时，公司设立光 刻胶事业部，组建了包括高级光刻胶专业人才的独立研发团队。
建成 1500 平方米的研发 中心和百升级光刻胶中试生产线，开发出了多款树酯、光敏剂、单体，创新并不断优化提 纯工艺，研究出 193nm 光刻胶的配方，产品研发进展和成果得到业界专家的认可。
公司 在光刻胶方面研发经费持续投入，研发团队不断扩大。公司 2020 年年报显示，截至 2020 年年底公司拥有研发人员 136 人，占公司总人数的比例为 19%左右，拥有丰富的研发人员 储备和良好的研发人员培养机制。
持续不断的研发投入、稳定的研发团队和创新文化是公 司能够持续进行技术创新与产品研发的基础。目前已经建成一支具有国际水平的高素质研 发与管理团队，并不断加强优质人才储备，保障公司的持续研发能力。
南大光电自主研发的 ArF 光刻胶产品成功通过客户的使用认证。2020 年 12 月 17 日， 宁波南大光电自主研发的 ArF 光刻胶产品成功通过客户的使用认证。验证使用的 50nm 闪 存技术平台，在特征尺寸上，线制程工艺可以满足 45nm-90nm 光刻需求，孔制程工艺可 满足 65nm-90nm 光刻需求，该工艺平台的光刻胶在业界有代表性。
公司产品成为国内通 过产品验证的第一只国产 ArF 光刻胶，具有里程碑式意义。公司预计未来形成年产 25 吨 193nm（ArF 干式 5 吨和浸没式 20 吨）光刻胶产品的生产规模。
产品性能满足 90nm-14nm 集成电路制造的要求。并建成先进光刻胶分析测试中心和高分辨率光刻胶研发中心，为公 司新的高端光刻胶产品的研发和产业化提供技术保障。
积极布局电子特气，砷烷磷烷+含氟气体优势显著，电子特气百亿市场，下游需求持续增长
电子特气高技术含量、高附加值，下游应用领域广泛。电子特气是随着电子行业的兴 起而在工业气体门类下逐步细分发展起来的新兴产业，属于高技术、高附加值产品。其制 造要经过气体合成、气体纯化、气体混配、气瓶处理、气体充装、气体分析检测等生产工 序。
电子特气是集成电路、平板显示、LED、太阳能电池等泛半导体领域生产制造过程中 不可或缺的关键性化工材料，并对最终产品产生较大影响，被誉为电子产业的“粮食”和 “血液”
按照使用场景的不同，电子气体可以被分为“硅族气体、掺杂气体、刻蚀清洗 气体、反应气体、沉积气体”等。
高纯电子特气是电子工业核心关键材料之一。随着半导体集成电路技术的发展，对电 子气体的纯度和质量也提出了更高要求。高纯电子特种气体在制造环节使用较多，比如离 子注进、气相沉积、洗涤、遮掩膜形成过程中使用到一些化学气体，常见的有 SiH4、PH3、 ASH3、B2H6、N20、NH3、SF6、NF3、CF4、BCI3、BF3、HCI、Cl2 等。
根据中国半导体 行业协会数据，由于电子特气在制造过程中使用的步骤较多，消耗量远远高于其他材料， 占比为 14%，气体(包含高纯和混合气体)作为半导体材料中的核心原料，是除硅晶圆之外 的第二大材料。
电子特气行业集中度高，国际气体巨头占据市场。从全球市场上来看，行业 CR4 高 达 94%，其中美国空气化工、德国林德-普莱克斯并列第一，市场份额均达到 26%。分析 国内半导体用电子气体市场情况，市场份额同样被国际巨头垄断。美国空气化工、德国林 德-普莱克斯市场份额均达到 30%，日本昭和电工位居第三，占比达到 15%。
光伏产业势头迅猛，带动电子特气需求空间增长。在光伏领域，电池片作为太阳能电 池的核心组件，电子特气在其生产过程中扮演着重要角色。据中商产业研究院统计，2020 年中国光伏产业太阳能电池产量达 15728.6 万千瓦，同比增长 22.3%。
从区域上看，我国 光伏产能占全球比例快速提升，2020 年我国光伏产能 253834 兆瓦，占全球比例从 2009 年的 1.82%快速提升至 35.88%。在全球能源革命的驱动下，光伏产业发展势头迅猛，有 望带动电子特气的需求空间进一步增长。
显示面板出货仍有增长，推动电子特气市场增长。在显示面板领域，电子特气主要应 用于成膜和干刻工艺。据赛迪智库数据，2011-2018 年中国显示面板产业增速保持在 20% 以上，2019、2020 年两年增速有所下降，但仍维持在 10%以上，2020 年，我国新型显示 产业直接营收达到 4460 亿元，全球占比达到了 40.3%，产业规模位居全球第一。
截至 2020 年底，中国大陆地区已建成 6 代及以上面板生产线 35 条，产线总投资达到 1.24 万亿元，年产能达到 2.22 亿平方米。我们预计未来几年面板出货面积仍有增长空间。
集成电路、LED 等电子工业市场的快速发展，有望带动电子特气市场规模不断增大。 2020 年，我国电子特气按下游应用进行分类，集成电路及器件领域占比 44.2%；面板领 域占比 34.7%；太阳能及 LED 等领域占比 21.1%。集成电路是目前最大的应用场景，未 来中国集成电路市场有望迎来高速增长，有望助力电子特气市场规模不断扩大。
参考国内及全球下 *** 业增速，我们预测，至 2023 年，全球电子特气市场总规模将 达 934 亿元，其中集成电路用电子特气市场规模 401 亿元；至 2023 年，我国电子特气市 场总规模将达 238 亿元，其中集成电路用电子特气市场规模 100 亿元。
砷烷磷烷打破海外垄断，扩大产能满足市场需求
公司自主研制高纯砷烷、磷烷等特气打破国外垄断。磷烷、砷烷是高纯特种气体中技 术门槛和开发难度极高的两个品种，是半导体、LED、光伏、航天和国防事业的关键原材 料，并长期处于海外技术封锁中。砷烷因其易燃、剧毒、易爆等特征，从生产角度来说合 成到提纯各个环节难度都较大。
2013 年，南大光电上市之初，许从应博士团队便着手国 家“02 专项”高纯砷烷、磷烷等特气的研发和中试项目，经过多年耕耘，其产品自 2016 年起开始推向市场并率先被 LED 客户广泛接受，有效打破国外垄断。
公司磷烷、砷烷业务从“增长点”向“支撑点”发展。公司在 2016 年完成一期量产， 年产 35 吨高纯磷烷、15 吨高纯砷烷，产品纯度均达到 6N 标准以上级。目前公司已占据 国内 75%市场份额，并进入英特尔、欧司朗、飞利浦等一流公司供应商名录。2019 年公 司启动产能扩大项目，计划一期提升 17.5 吨磷烷产能，在 2019 年底二期项目再提升 17.5 吨磷烷以及 15 吨砷烷。
2019 年公司电子特气业务实现营收 1.64 亿元，占公司总营收 50.91%，首次超过 MO 源业务，公司砷烷、磷烷业务逐渐向“支撑点”发展。
南大光电高纯磷烷砷烷将迎来新的机遇。磷烷及砷烷在 GaAs 基 LED 外延生长过程 中的 GaAs、InAlP 化学气相沉积沉积中被大量使用。自 2017 年以来，苹果手机搭载的 GaAs 基 VCSEL 激光器将 GaAs 应用场景从传统的红黄光 LED 拓展至 3D 传感和人脸识 别领域，将 GaAs 材料推向加速发展的快车道。
此外，5G 大发展之下的射频器件也是 GaAs 材料的重要增量。根据观研天下数据，2019 年全球折合二英寸砷化镓衬底市场销量约为 2000 万片，预计到 2025 年全球折合二英寸砷化镓衬底市场销量将超过 3500 万片；
2019 年全球砷化镓衬底市场规模约为 2 亿美元，预计到 2025 年全球砷化镓衬底市场规模将达 到 3.48 亿美元，2019-2025 年复合增长率 9.67%。随着 GaAs 材料的快速发展，预计南 大光电高纯磷烷砷烷将迎来新的机遇。
收购飞源气体切入含氟特气，产能规模行业领先
收购飞源气体，公司持续布局电子特气业务。2019 年，为进一步推进电子特种气体 业务的布局与发展，公司采用现金收购及增资方式取得山东飞源气体 57.97%的股权，正 式切入氟系电子特种气体领域。山东飞源气体主要从事三氟化氮（NF3）、六氟化硫（SF6）、 四氟化碳（CF4）及其副产品的生产及销售，产品主要面向面板行业和半导体行业。
交易 完成后，山东飞源气体技术改造和生产建设项目顺利推进，生产稳定，发展势头良好，产 品品质得到广大客户的认可。公司已成功进入多家国际领先企业供应名单，如台积电、中 芯国际、京东方、鸿海集团等。
三氟化氮方面：三氟化氮是一种优良的等离子蚀刻气体，具有优异的蚀刻速率和选择 性，而且对表面无污染。在电子工业中，NF3 作为蚀刻剂和清洗剂被广泛应用于 IC（集成 电路）行业、LCD（面板显示）行业等，应用占比超过 70%；同时在火箭发射中作为氧化 剂和推进剂使用。
2018-2021 年，全球三氟化氮产能复合增速达 9.94%，市场需求复合增 速为 11.42%，均呈现稳健增长态势。2021 年三氟化氮市场需求达 3.9 万吨，同比增长 12.66%。
NF3 国内产能持续扩大，飞源气体加码含氟特气。国内三氟化氮主要生产商包括飞源 气体、中船重工 718 所、昊华科技、雅克科技等。中船重工 718 所是国内最大的 NF3 生产 商，现有 6000 吨/年产能，计划未来扩至 1.5 万吨/年。
昊华科技子公司黎明院与韩国大成 合作建设了 2000 吨/年 NF3项目，新建产能 3000 吨/年的 NF3项目，公司预计该项目 2022 年达产。
飞源气体 NF3现有 3800 吨/年产能，计划选择乌兰察布作为做强做大 NF3等高纯 氟系电子材料项目的实验田，加码含氟电子特气，总体投资规模不低于 12 亿元，扩产后 NF3 总规模将是现有产能 2 倍。
四氟化碳方面：四氟化碳（CF4）又称四氟甲烷，具有较好的溶氧性，其高纯气及其 配高纯氧气的混合气是目前微电子工业中用量最大的等离子蚀刻气体。其主要用于半导体 工业中的等离子蚀刻、集成电路清洗、电子器件表面清洗、深冷设备制冷等领域。
国内四氟化碳产能不断扩张，飞源气体未来产能将扩大一倍。2021 年中国四氟化碳 总产能超过 3000 吨，其中成都科美特特种气体公司产能占比高达 38%，位居首位；黎明 院四氟化碳产能为 200 吨，产能占比达 6%。飞源气体现有产能 500 吨/年，产能占比 16%， 未来计划达到 1000 吨/年。
六氟化硫方面：六氟化硫（SF6）具有良好的电气绝缘性能及优异的灭弧性能，是一 种优于空气和油的新一代超高压绝缘介质材料，分为工业级和电子级六氟化硫。工业级六 氟化硫其主要应用于断路器、高压变压器、气封闭组合电容器、高压传输线、互感器等； 电子级高纯六氟化硫是一种理想的电子蚀刻剂，被大量应用显示面板、半导体加工过程中 的干刻。
飞源气体 SF6生产规模位于国内前列，现有产能 3500 吨/年。2021 年成都科美特特 种气体公司产能达 8500 吨/年，位居首位；飞源气体现有产能 3500 吨/年，生产规模位于 国内前列。随着电力行业的发展带动，输配电和控制设备新增需求持续增加，以及设备的 更新换代将拉动对工业级 SF6 的需求；
国内半导体行业的承接及国产化将带动对电子级 SF6 的需求，预计未来六氟化硫的市场需求保持稳定增长的趋势。
盈利预测关键假设
MO 源业务：MO 源下游需求稳健增长，公司作为行业内的龙头企业，同时还有品类 的扩张，我们预计公司 MO 源业务增速将保持高于行业水平，未来几年增速在 10%左 右，毛利率水平维持在 37%左右。
特气业务：晶圆厂扩产浪潮下特气需求旺盛，伴随公司在含氟特气上的产能扩张，我 们预计公司特气业务将保持高增长，未来几年该业务收入增速在 20-25%上下波动， 毛利率水平随规模效应显现逐步由 43%提升至 48%左右。
其他主营业务：先进前驱体、光刻胶产品等有望呈现高增长，预计公司其他主营业务 收入增速在 50%左右，毛利率水平在 60%左右。
费用率及所得税率：费用率参考前三年平均数据，所得税率取高新技术企业税率 15%。
盈利预测
综合上述分析，我们预计公司 2021-2023 年的归母净利润分别为 1.35、1.96 和 2.48 亿元，对应 EPS 预测分别为 0.32、0.47 和 0.59 元。